FREQUENCY DISPERSION OF DIELECTRIC COEFFICIENTS AND CONDUCTIVITY OF TLGAS2 SINGLE CRYSTALS


The results of high-frequency dielectric measurements on obtained TlGaS2 single crystals provided an opportunity to determine the nature of dielectric losses, the mechanism of charge transport, and also to evaluate the density of states at the Fermi level; the average time of charge carrier hopping between localized states, average hopping distance, scattering of trap states near the Fermi level; concentration of deep traps determining the ac conductivity of the crystals. It was shown that doping of TlGaS2 single crystals with Ni allows to control their dielectric properties and ac-conductivity.




ЧАСТОТНАЯ ДИСПЕРСИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОЭФФИЦИЕНТОВ И ПРОВОДИМОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ TLGAS2


Экспериментальные результаты по изучению частотной дисперсии диэлектрических коэффициентов монокристалла TlGaS2 позволили установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда, оценить плотность состояний вблизи уровня Ферми, их разброс, среднее время и расстояние прыжков, а также концентрацию глубоких ловушек, ответственных за проводимость на переменном токе. Показано, что за счет легирования монокристалла TlGaS2 никелем можно управлять его диэлектрическими свойствами и ас-проводимостью.